2 MOSFET Infineon, canale Tipo N, 13.7 mΩ, 20 A 60 V, SuperSO8 5 x 6 Miglioramento, 8 Pin IPG20N06S4L14AATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-9688
Codice costruttore:
IPG20N06S4L14AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

IPG20N06S4L-14A

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±16 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Infineon OptiMOSTM-T2 per uso automobilistico ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 60 V e una corrente di drenaggio (ID) di 20 A. Viene fornito in un doppio contenitore SS08 (PG-TDSON-8). È fattibile per l'ispezione ottica automatica (AOI).

Livello logico a doppio canale N - Modalità potenziata

AEC Q101

MSL1 con certificazione AEC fino a 260 °C di picco di riflusso

175 °C Temperatura

d'esercizio Prodotto verde (conforme a RoHS) testato al

100% valanga fattibile

per ispezione ottica automatica (AOI)

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