MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 14.6 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie BSC0803LSATMA1

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Codice RS:
235-0603
Codice costruttore:
BSC0803LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5.49mm

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza OptiMOSTM5 Infineon funziona a 100 V e con una corrente di assorbimento di 4 A. La gamma OptiMOSTM5 Infineon è destinata all'applicazione su USB-PD e adattatori. I prodotti offrono una rapida accelerazione e tempi di conduzione ottimizzati. I MOSFET a basso voltaggio OptiMOSTM per l'erogazione di potenza consentono prestazioni con un minor numero di parti che si traduce in una riduzione dei costi BOM. OptiMOS™ PD offre prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri.

Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni

testato a valanga al 100%

Resistenza termica superiore

Livello logico N-channel

Circuito stampato senza piombo; Conformità RoHS senza

alogeni a norma IEC61249-2-21

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