MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 14.6 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ146N10LS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2473
Codice costruttore:
BSZ146N10LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il livello logico dei MOSFET di potenza OptiMOS™ 5 di Infineon è estremamente adatto per la ricarica wireless, l'adattatore e le applicazioni di telecomunicazione. La bassa carica di gate (Q g) dei dispositivi riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. Le figure di merito migliorate consentono operazioni ad alte frequenze di commutazione. Inoltre, l'unità di livello logico fornisce una bassa tensione di soglia gate (V GS(The)) che consente ai MOSFET di essere pilotati a 5V e direttamente dai microcontroller.

Bassa R DS(on) in contenitore di piccole dimensioni

Bassa carica di gate

Minore carica di uscita

Compatibilità a livello logico

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