MOSFET Infineon, canale N, 0,0146 Ω, 40 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 215-2473
- Codice costruttore:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
1420 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per 1pz in confezione da 20
1,172 €
(IVA esclusa)
1,43 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 1,172 € | 23,44 € |
| 40 - 80 | 1,113 € | 22,26 € |
| 100 - 180 | 1,066 € | 21,32 € |
| 200 - 480 | 1,019 € | 20,38 € |
| 500 + | 0,949 € | 18,98 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2473
- Codice costruttore:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il livello logico dei MOSFET di potenza OptiMOS™ 5 di Infineon è estremamente adatto per la ricarica wireless, l'adattatore e le applicazioni di telecomunicazione. La bassa carica di gate (Q g) dei dispositivi riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. Le figure di merito migliorate consentono operazioni ad alte frequenze di commutazione. Inoltre, l'unità di livello logico fornisce una bassa tensione di soglia gate (V GS(The)) che consente ai MOSFET di essere pilotati a 5V e direttamente dai microcontroller.
Bassa R DS(on) in contenitore di piccole dimensioni
Bassa carica di gate
Minore carica di uscita
Compatibilità a livello logico
Bassa carica di gate
Minore carica di uscita
Compatibilità a livello logico
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 40 A |
| Tensione massima drain source | 100 V |
| Tipo di package | PQFN 3 x 3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 8 |
| Resistenza massima drain source | 0,0146 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.3V |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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