MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.1 mΩ Miglioramento, 30 A, 4 Pin, PQFN, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1472,00 €

(IVA esclusa)

1796,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 06 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,368 €1.472,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-4746
Codice costruttore:
IRFH8311TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.15 mm

Altezza

1.17mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

RDSon basso (<1,15 mΩ)

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)

Testato al 100% Rg

Basso profilo (<0,9 mm)

Link consigliati