MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 42 mΩ, 12.5 A, PQFN, Superficie

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Codice RS:
217-2639
Codice costruttore:
IRL80HS120
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

11.5W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1 mm

Lunghezza

2.1mm

Altezza

2.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon disponibile in tre diverse classi di tensione (60V, 80V e 100V), i nuovi MOSFET di potenza di livello logico di Infineon sono estremamente adatti per le applicazioni di ricarica wireless, telecomunicazioni e adattatori. Il contenitore PQFN 2x2 è particolarmente adatto per la commutazione ad alta velocità e applicazioni critiche con fattore di forma. Consente una maggiore densità di potenza e una maggiore efficienza, nonché un notevole risparmio di spazio.

FOM minimo (R DS(on) x Q g/gd)

Q g, C oss e Q rr ottimizzati per una commutazione rapida

Compatibilità a livello logico

Piccolo contenitore PQFN 2x2mm

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