MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 42 mΩ, 12.5 A, 6 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
217-2639
Codice costruttore:
IRL80HS120
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

11.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.1mm

Larghezza

1 mm

Altezza

2.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon disponibile in tre diverse classi di tensione (60V, 80V e 100V), i nuovi MOSFET di potenza di livello logico di Infineon sono estremamente adatti per le applicazioni di ricarica wireless, telecomunicazioni e adattatori. Il contenitore PQFN 2x2 è particolarmente adatto per la commutazione ad alta velocità e applicazioni critiche con fattore di forma. Consente una maggiore densità di potenza e una maggiore efficienza, nonché un notevole risparmio di spazio.

FOM minimo (R DS(on) x Q g/gd)

Q g, C oss e Q rr ottimizzati per una commutazione rapida

Compatibilità a livello logico

Piccolo contenitore PQFN 2x2mm

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