MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.9 mΩ, 64 A, 8 Pin, PQFN, Superficie ISZ0602NLSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
232-6769
Codice costruttore:
ISZ0602NLSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PQFN

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.9mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.4mm

Larghezza

1.1 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza PD OptiMOS 80 V di Infineon è progettato per applicazioni USB-PD e adattatori. Il contenitore PQFN 3.3x3.3 offre tempi rapidi di salita e di consegna ottimizzati. I MOSFET a bassa tensione OptiMOS per l'erogazione di potenza consentono progetti con meno parti che portano alla riduzione dei costi BOM. OptiMOS PD è dotata di prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri.

Disponibilità a livello logico

Eccellente comportamento termico

Testato con effetto valanga al 100%

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