MOSFET Infineon, canale N 80 V, 42 mΩ, 12.5 A, 6 Pin, PQFN, Superficie IRL80HS120

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2640
Codice costruttore:
IRL80HS120
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

11.5W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.1mm

Larghezza

1mm

Altezza

2.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 12,5 A - IRL80HS120


Questo MOSFET è un transistor di commutazione compatto a canale N progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale in cui sono richieste conduzione controllata e resistenza termica. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per l'uso in contenitori PQFN compatti che bilanciano la gestione della potenza con un ingombro ridotto.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione massima drain-source di 80 V consente la commutazione ad alta tensione
• Rds(on) di 42 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante i carichi pesanti
• La corrente di drenaggio continua di 12,5 A supporta l'erogazione di corrente sostenuta
• La carica gate tipica di 7 nC consente un controllo efficiente del gate drive
• La dissipazione di potenza massima di 11,5 W gestisce lo stress termico in configurazioni ristrette
• Il limite gate-source 20 V consente tensioni di gate drive comuni in modo sicuro

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC in alimentatori compatti
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono una commutazione ad alta tensione
• Utilizzato per circuiti di gestione della batteria in progetti a elevata densità di potenza
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona nelle guide di alimentazione
• Utilizzato con sistemi termicamente impegnativi in ampie oscillazioni di temperatura

In quale intervallo termico può operare?


Funziona da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti ad alta temperatura.

Quanti pin sono disponibili per l'instradamento dei circuiti stampati?


Viene fornito in un layout PQFN a sei pin per semplificare il routing a montaggio superficiale.

Che cos'è la tensione diretta e le sue implicazioni?


La tensione diretta è di 1,2 V, che fornisce informazioni sui calcoli di perdita e caduta nei percorsi di conduzione.

Quale contenitore e stile di montaggio devono aspettarsi i progettisti?


Il dispositivo viene fornito in un contenitore PQFN progettato per il montaggio superficiale su circuiti stampati compatti.

Quale tipo di canale e quale ruolo di commutazione svolge?


Si tratta di un dispositivo a canale N adatto per topologie di commutazione low-side o high-side a seconda dei requisiti del circuito.

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