MOSFET Infineon, canale N, 0,0094 Ω, 40 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

I MOSFET di potenza a livello logico OptiMOSTM 5 di Infineon sono estremamente adatti per la ricarica wireless, l'adattatore e le applicazioni di telecomunicazioni. Bassa carica del gate dei dispositivi (Q _g) riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. I valori di merito migliorati consentono il funzionamento ad alte frequenze di commutazione. Inoltre, l'azionamento del livello logico fornisce una bassa tensione di soglia del gate (V _GS(th)) che consente di azionare i MOSFET a 5 V e direttamente dai microcontrollori.