MOSFET Infineon, canale N 80 V, 11 mΩ N, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Codice RS:: 214-4344
Codice costruttore:: BSZ110N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 80 V, 11 mΩ N, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2520,00 €

(IVA esclusa)

3075,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 25 ottobre 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
5000 +	0,504 €	2.520,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 214-4344
Codice costruttore:: BSZ110N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Tipo di package	PQFN
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	11mΩ
	Modalità canale	N
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	15nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	50W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	3.4mm
	Larghezza	3.4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Tipo di package PQFN
	Serie OptiMOS 5
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11mΩ
	Modalità canale N
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 50W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 3.4mm
	Larghezza 3.4mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSZ110N08NS5ATMA1

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 40 A - BSZ110N08NS5ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta potenza progettato per la commutazione e la conversione di potenza a montaggio superficiale in ambienti difficili. Funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto per le attività industriali e offre una robusta gestione della corrente con bassa caduta di tensione per supportare stadi di potenza efficienti e design termici compatti.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drain di 80 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La bassa Rds(on) di 11 mΩ riduce le perdite di conduzione a correnti elevate
• La corrente di drenaggio continua di 40 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• Carica gate tipica di 15 nC per una commutazione gate rapida ed efficiente
• La dissipazione di potenza di 50 W consente una gestione del calore significativa
• La tensione diretta di 1,2 V riduce al minimo le perdite di conduzione del diodo

Applicazioni

• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta corrente
• Utilizzato con moduli di conversione CC-CC nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e i sistemi di ricarica
• Adatto per circuiti driver LED ad alta potenza

Quale formato di montaggio è necessario per l'assemblaggio della scheda?

È fornito in un contenitore PQFN progettato per il posizionamento a montaggio superficiale che richiede un modello di messa a terra piatto del circuito stampato e vie termiche per il trasferimento del calore.

In che modo il dispositivo gestisce gli estremi termici durante il funzionamento?

È classificato per funzionare a temperature di giunzione da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in profili di temperatura industriali difficili.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono consigliate?

La tensione nominale massima da gate a sorgente è di 20 V e la carica totale tipica del gate è di 15 nC, pertanto si consiglia un'unità in grado di caricare/scaricare rapidamente con un controllo di slittamento appropriato.

Quali caratteristiche di conduzione influenzano la progettazione termica del circuito stampato?

La sua bassa resistenza drain-source di 11 mΩ determina perdite I2R inferiori, spostando l'attenzione sulla gestione della commutazione e dei percorsi di dissipazione termica del contenitore.