MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 11 mΩ N, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
214-4344
Codice costruttore:
BSZ110N08NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PQFN

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4 mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS 600V continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza con la facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.

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