MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.4 mΩ N, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ070N08LS5ATMA1
- Codice RS:
- 214-4341
- Codice costruttore:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 15 unità*
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 + | 0,813 € | 12,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4341
- Codice costruttore:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.4mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 69W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Larghezza | 3.4 mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.4mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14.1nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 69W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Larghezza 3.4 mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET di potenza OptiMOSTM 5 a livello logico forniscono un basso RDS(on) in un contenitore di piccole dimensioni
I MOSFET di potenza a livello logico OptiMOSTM 5 di Infineon sono estremamente adatti per la ricarica wireless, l'adattatore e le applicazioni di telecomunicazioni. Bassa carica del gate dei dispositivi (Q g) riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. Le figure di merito migliorate consentono operazioni ad alte frequenze di commutazione. Inoltre, l'azionamento del livello logico fornisce una bassa tensione di soglia del gate (V GS(th)) che consente di azionare i MOSFET a 5 V e direttamente dai microcontrollori.
Riepilogo delle caratteristiche
Vantaggi
Applicazioni potenziali
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