MOSFET Infineon, canale N 80 V, 2.1 mΩ Miglioramento, 30 A, 4 Pin, PQFN, Superficie IRFH8311TRPBF
- Codice RS:
- 222-4747
- Codice costruttore:
- IRFH8311TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 15 unità*
14,46 €
(IVA esclusa)
17,64 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1425 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,964 € | 14,46 € |
| 75 - 135 | 0,917 € | 13,76 € |
| 150 - 360 | 0,897 € | 13,46 € |
| 375 - 735 | 0,839 € | 12,59 € |
| 750 + | 0,781 € | 11,72 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4747
- Codice costruttore:
- IRFH8311TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.17mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 6.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.17mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 6.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
RDSon basso (<1,15 mΩ)
Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)
Testato al 100% Rg
Basso profilo (<0,9 mm)
Link consigliati
- MOSFET Infineon 2.1 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 2.1 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 2.1 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie NTTFS2D1N04HLTWG
- MOSFET Infineon 9.9 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 42 mΩ 6 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.15 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie