MOSFET ROHM, canale Canale N 1700 V, 1.5 Ω, 3.9 A, 7 Pin, TO, Superficie SCT2H12NWBTL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
780-669
Codice costruttore:
SCT2H12NWBTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1700V

Tipo di package

TO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

0V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.5mm

Lunghezza

15.5mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

10.2mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET in carburo di silicio ROHM offre una commutazione a canale N ad alte prestazioni per la gestione dell'alimentazione industriale ad alta tensione. Questo dispositivo SiC avanzato è progettato per alimentatori ausiliari, garantendo una conduttività termica superiore e perdite di commutazione inferiori rispetto ai componenti in silicio tradizionali.

Tensione da drenaggio a sorgente di 1700 V

Corrente di drenaggio continua di 3,9 A

Resistenza di accensione tipica di 1,15 Ohm

Elevata dissipazione di potenza di 39 W

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