MOSFET onsemi, canale Canale N 60 V, 3 Ω, 310 mA, 3 Pin, SOT-23, Montaggio superficiale 2N7002ET7G
- Codice RS:
- 838-682
- Codice costruttore:
- 2N7002ET7G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 nastro da 200 unità*
7,20 €
(IVA esclusa)
8,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 08 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 200 - 1800 | 0,036 € | 7,20 € |
| 2000 - 9800 | 0,029 € | 5,80 € |
| 10000 - 19800 | 0,022 € | 4,40 € |
| 20000 + | 0,018 € | 3,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 838-682
- Codice costruttore:
- 2N7002ET7G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 310mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.81nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.42W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 310mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.81nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.42W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET a piccolo segnale di onsemi è progettato per applicazioni di commutazione a basso carico laterale. Questo componente è dotato di un contenitore SOT-23 compatto, ideale per progetti con limiti di spazio e prestazioni affidabili.
La bassa R DS(on) garantisce una gestione efficiente dell'alimentazione
La tecnologia Trench migliora l'efficienza di commutazione
Certificazione AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche
Senza Pb e conforme alla direttiva RoHS per la sostenibilità ambientale
Funziona con una temperatura del piombo fino a 260 °C per una saldatura versatile
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 4 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 0.1 Ω 3 Pin Montaggio superficiale FDN5630
- MOSFET DiodesZetex 4 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie DMN65D8L-7
- MOSFET onsemi 3 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 3 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie NTR5103NT1G
- MOSFET onsemi 70 mΩ 3 Pin Montaggio superficiale FDN340P
- MOSFET onsemi 2.5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 7.5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
