MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 310 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-2952
Codice costruttore:: DMN65D8L-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 310 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-2952
Codice costruttore:: DMN65D8L-7
Costruttore:: DiodesZetex

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	310 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	540 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	0,87 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 310 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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