MOSFET singoli Microchip, canale N 90 V, 6 Ω Modalità di esaurimento, 200 mA, 3 Pin, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:
849-964
Codice costruttore:
DN1509T-V/C6X
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

90V

Tipo di package

SOT-23

Serie

DN1509

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6Ω

Modalità canale

Modalità di esaurimento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.86nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

2V

Tensione diretta Vf

1.4V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.36W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS3 Compliant

Larghezza

1.3mm

Altezza

1mm

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
TH
Il MOSFET di Microchip è un transistor a modalità di esaurimento a canale N progettato per una commutazione e un'amplificazione efficienti, garantendo un'elevata impedenza di ingresso e prestazioni termiche superiori per varie applicazioni.

L'elevata impedenza di ingresso migliora la stabilità del circuito

Le velocità di commutazione rapide migliorano i tempi di risposta nelle applicazioni

La bassa resistenza all'accensione garantisce una gestione efficiente della potenza

L'assenza di dispersione termica e di rottura secondaria migliora l'affidabilità

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