MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 710 V, 63 mΩ Miglioramento, 42 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
103-2002
Codice costruttore:
STB57N65M5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

710V

Serie

MDmesh M5

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

63mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

98nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

9.35 mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics


I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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