MOSFET STMicroelectronics, canale N, 63 mΩ, 42 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 783-2977
Codice costruttore:: STB57N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 63 mΩ, 42 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

4 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Unità

10,54 €

(IVA esclusa)

12,86 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
1 - 4	10,54 €
5 - 9	10,02 €
10 - 24	9,01 €
25 - 49	8,12 €
50 +	7,70 €

Codice RS:: 783-2977
Codice costruttore:: STB57N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics

I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	42 A
Tensione massima drain source	710 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh M5
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	63 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	250 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	9.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	98 nC a 10 V
Lunghezza	10.4mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	4.6mm