- Codice RS:
- 920-8821
- Codice costruttore:
- STB38N65M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)
3,397 €
(IVA esclusa)
4,144 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
---|---|---|
1000 + | 3,397 € | 3.397,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 920-8821
- Codice costruttore:
- STB38N65M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics
I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 30 A |
Tensione massima drain source | 710 V |
Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
Serie | MDmesh M5 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 95 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 5V |
Tensione di soglia gate minima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 190 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -25 V, +25 V |
Materiale del transistor | Si |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Carica gate tipica @ Vgs | 71 nC a 10 V |
Larghezza | 9.35mm |
Lunghezza | 10.4mm |
Altezza | 4.6mm |
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