MOSFET onsemi, canale N, 5 Ω, 500 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 103-2947
Codice costruttore:: MMBF170LT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 5 Ω, 500 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 12000	0,052 €	156,00 €
15000 +	0,051 €	153,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 103-2947
Codice costruttore:: MMBF170LT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	500 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	225 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.3mm
Lunghezza	2.9mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.94mm

MOSFET onsemi, canale N, 5 Ω, 500 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

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