MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 64 mΩ Miglioramento, 4.3 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
166-1822
Codice costruttore:
FDC5612
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

64mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.7 mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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