MOSFET onsemi, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1822
Codice costruttore:: FDC5612
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 166-1822
Codice costruttore:: FDC5612
Costruttore:: onsemi

FDC5612, PowerTrench 60V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,3 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	64 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,6 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	12,5 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET onsemi, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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