MOSFET DiodesZetex, canale N, 100 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 922-8036
Codice costruttore:: ZXMN2B14FHTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 100 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,30 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,30 €	900,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 922-8036
Codice costruttore:: ZXMN2B14FHTA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.04mm
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	11 nC @ 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.12mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 100 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

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