MOSFET onsemi, canale Tipo N 25 V, 450 mΩ Miglioramento, 680 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie FDV303N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
121-2747
Codice costruttore:
FDV303N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

680mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SOT-23

Serie

UniFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.64nC

Dissipazione di potenza massima Pd

350mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.92mm

Larghezza

1.3 mm

Altezza

0.93mm

Standard/Approvazioni

No

Distrelec Product Id

304-36-911

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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