2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 450 mΩ, 680 mA 25 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
166-2740
Codice costruttore:
FDC6303N
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

680mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.64nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

900mW

Tensione diretta Vf

0.83V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.7 mm

Lunghezza

3mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

FET digitali, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati