Codice costruttore

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 1.1 mΩ, 680 mA 25 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 354-4985
Codice costruttore:: FDC6321C
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 1.1 mΩ, 680 mA 25 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:: 354-4985
Codice costruttore:: FDC6321C
Costruttore:: onsemi

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	680mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	25V
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.1mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	900mW
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1.1nC
	Tensione diretta Vf	890mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V, -8V
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Lunghezza	3mm
	Larghezza	1.7mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 680mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.1mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 900mW
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.1nC
	Tensione diretta Vf 890mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V, -8V
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Lunghezza 3mm
	Larghezza 1.7mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

FET digitali, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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