MOSFET onsemi, canale N, P, 1,1 Ω, 450 mΩ, 460 mA, 680 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 354-4985
Codice costruttore:: FDC6321C
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, P, 1,1 Ω, 450 mΩ, 460 mA, 680 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 354-4985
Codice costruttore:: FDC6321C
Costruttore:: onsemi

FDC6321C, Dual N and P Channel, Digital FET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	460 mA, 680 mA
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	1,1 Ω, 450 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.65V
Dissipazione di potenza massima	900 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.7mm
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	1,1 nC a 4,5 V, 1,64 nC a 4,5 V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, P, 1,1 Ω, 450 mΩ, 460 mA, 680 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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FET digitali, Fairchild Semiconductor

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