2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 1.1 mΩ, 680 mA 25 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
354-4985
Codice costruttore:
FDC6321C
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

680mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.89V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

900mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8/8 V

Minima temperatura operativa

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.7 mm

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

FET digitali, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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