MOSFET onsemi, canale P, 1,1 Ω, 460 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1711
Codice costruttore:: FDV304P
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 1,1 Ω, 460 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,062 €	186,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1711
Codice costruttore:: FDV304P
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	460 mA
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,1 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.65V
Dissipazione di potenza massima	350 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.92mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,1 nC a 4,5 V
Larghezza	1.3mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	0.93mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 1,1 Ω, 460 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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