MOSFET onsemi, canale Tipo P 25 V, 1.1 Ω Miglioramento, 460 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 166-1711
Codice costruttore:: FDV304P
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 25 V, 1.1 Ω Miglioramento, 460 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:: 166-1711
Codice costruttore:: FDV304P
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	460mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	25V
	Serie	UniFET
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.1Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	350mW
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1.1nC
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.93mm
	Lunghezza	2.92mm
	Larghezza	1.3 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 460mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V
	Serie UniFET
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.1Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 350mW
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.1nC
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.93mm
	Lunghezza 2.92mm
	Larghezza 1.3 mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:

• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.