Codice costruttore

2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale N, 450 mΩ, 680 mA 25 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDC6303N

Codice RS:: 354-4941
Codice costruttore:: FDC6303N
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale N, 450 mΩ, 680 mA 25 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDC6303N

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Codice RS:: 354-4941
Codice costruttore:: FDC6303N
Costruttore:: onsemi

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	680mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	25V
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	450mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Tensione diretta Vf	830mV
	Dissipazione di potenza massima Pd	900mW
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1.64nC
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Larghezza	1.7mm
	Lunghezza	3mm
	Altezza	1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 680mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 450mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Tensione diretta Vf 830mV
	Dissipazione di potenza massima Pd 900mW
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.64nC
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Larghezza 1.7mm
	Lunghezza 3mm
	Altezza 1mm
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

FET digitali, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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