MOSFET onsemi, canale N, 450 mΩ, 680 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 354-4941
Codice costruttore:: FDC6303N
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 450 mΩ, 680 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 354-4941
Codice costruttore:: FDC6303N
Costruttore:: onsemi

FDC6303N, Digital FET, Dual N-Channel
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	680 mA
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	450 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.65V
Dissipazione di potenza massima	900 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	+8 V
Lunghezza	3mm
Larghezza	1.7mm
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	1,64 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET onsemi, canale N, 450 mΩ, 680 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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FET digitali, Fairchild Semiconductor

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