MOSFET onsemi, canale N, 6 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 671-0321
Codice costruttore:: BSS123
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 6 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 671-0321
Codice costruttore:: BSS123
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	170 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	360 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	1,8 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.92mm
Altezza	0.93mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 6 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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