MOSFET onsemi, canale N, 6 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 545-0135
Codice costruttore:: BSS123LT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 6 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 10

0,226 €

(IVA esclusa)

0,276 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
10 - 90	0,226 €	2,26 €
100 - 140	0,217 €	2,17 €
150 - 740	0,215 €	2,15 €
750 - 1490	0,21 €	2,10 €
1500 +	0,20 €	2,00 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 545-0135
Codice costruttore:: BSS123LT1G
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Non applicabile

Dettagli prodotto

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	170 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.8V
Dissipazione di potenza massima	225 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.9mm
Larghezza	1.3mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	0.94mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 545-0135
Codice costruttore:: BSS123LT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 6 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

Specifiche

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

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