MOSFET onsemi, canale N 100 V, 6 Ω Miglioramento, 170 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

252,00 €

(IVA esclusa)

306,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 33.000 unità in spedizione dal 21 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 60000,084 €252,00 €
9000 +0,082 €246,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
103-2944
Codice costruttore:
BSS123LT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

170mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

225mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.3mm

Altezza

940μm

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CZ

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.