MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 6 Ω Miglioramento, 170 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Immagine rappresentativa della gamma

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

276,00 €

(IVA esclusa)

336,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 24.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 6000 unità in spedizione dal 20 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 60000,092 €276,00 €
9000 - 210000,083 €249,00 €
24000 +0,075 €225,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
124-1693
Codice costruttore:
BSS123
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

170mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.8nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.92mm

Altezza

0.93mm

Standard automobilistico

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.