Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 6 Ω Miglioramento, 170 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 124-1693
Codice costruttore:: BSS123
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 6 Ω Miglioramento, 170 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 - 6000	0,066 €	198,00 €
9000 - 21000	0,055 €	165,00 €
24000 - 42000	0,053 €	159,00 €
45000 - 96000	0,048 €	144,00 €
99000 +	0,046 €	138,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 124-1693
Codice costruttore:: BSS123
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	170mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	6Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1.8nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	360mW
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	2.92mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	0.93mm
	Standard automobilistico	AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 170mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package SOT-23
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.8nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 360mW
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 2.92mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 0.93mm
	Standard automobilistico AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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