MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 6 Ω Miglioramento, 170 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 124-1693
- Codice costruttore:
- BSS123
- Costruttore:
- onsemi
Immagine rappresentativa della gamma
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
186,00 €
(IVA esclusa)
228,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 15.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 21.000 unità in spedizione dal 29 aprile 2026
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,062 € | 186,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,052 € | 156,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,05 € | 150,00 € |
| 45000 - 96000 | 0,045 € | 135,00 € |
| 99000 + | 0,043 € | 129,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-1693
- Codice costruttore:
- BSS123
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 170mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 360mW | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.3 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.92mm | |
| Altezza | 0.93mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 170mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 360mW | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.3 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.92mm | ||
Altezza 0.93mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Link consigliati
- MOSFET onsemi 6 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie BSS123
- MOSFET DiodesZetex 10 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 10 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie BSS123-7-F
- MOSFET onsemi 6 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 6 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie BSS123LT1G
- MOSFET DiodesZetex 10 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie BSS123TA
- MOSFET onsemi 170 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 170 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie FDN5618P
