MOSFET onsemi, canale P, 142 mΩ, 2,9 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-6303
Codice costruttore:: NTGS5120PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 142 mΩ, 2,9 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,114 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,114 €	342,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 121-6303
Codice costruttore:: NTGS5120PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,9 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	142 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.7mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	18,1 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 142 mΩ, 2,9 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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