MOSFET onsemi, canale N, P, 120 mΩ, 200 mΩ, 4,1 A, 4,6 A, WDFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-6306
Codice costruttore:: NTLJD3119CTBG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, P, 120 mΩ, 200 mΩ, 4,1 A, 4,6 A, WDFN, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,282 €	846,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 121-6306
Codice costruttore:: NTLJD3119CTBG
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	4,1 A, 4,6 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	WDFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	120 mΩ, 200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,3 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	3,7 nC a 4,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Lunghezza	2mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	2mm
Altezza	0.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, P, 120 mΩ, 200 mΩ, 4,1 A, 4,6 A, WDFN, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

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