Codice costruttore

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 200 mΩ, 4.6 A 20 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 121-6306
Codice costruttore:: NTLJD3119CTBG
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 200 mΩ, 4.6 A 20 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

963,00 €

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1176,00 €

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3000 +	0,321 €	963,00 €

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Codice RS:: 121-6306
Codice costruttore:: NTLJD3119CTBG
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	4.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	WDFN
	Serie	μCool
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	200mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.3W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.7nC
	Tensione diretta Vf	690mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-8V, +8V
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	2mm
	Altezza	750μm
	Larghezza	2mm
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 4.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package WDFN
	Serie μCool
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.3W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.7nC
	Tensione diretta Vf 690mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -8V, +8V
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 2mm
	Altezza 750μm
	Larghezza 2mm
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: MY

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.

Transistor MOSFET, ON Semiconductor

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