MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,2 mΩ, 259 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:
121-9764
Codice costruttore:
CSD19536KCS
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

259 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-220

Serie

NexFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

3,2 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.2V

Tensione di soglia gate minima

2.1V

Dissipazione di potenza massima

375 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Lunghezza

10.67mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.7mm

Carica gate tipica @ Vgs

118 nC a 10 V

Altezza

16.51mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments



Transistor MOSFET, Texas Instruments

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