MOSFET Texas Instruments, canale N, 18 mΩ, 54 A, TO-220, Su foro

Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

54 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TO-220

Serie

NexFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

18 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Tensione di soglia gate minima

2.6V

Dissipazione di potenza massima

79 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.7mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.67mm

Carica gate tipica @ Vgs

14 nC a 10 V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

16.51mm