MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,2 mΩ, 349 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

349 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Serie

NexFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

2,2 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.2V

Tensione di soglia gate minima

1.4V

Dissipazione di potenza massima

375 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

11.33mm

Carica gate tipica @ Vgs

230 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1V