MOSFET STMicroelectronics, canale N, 850 mΩ, 7,2 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:
168-6688
Codice costruttore:
STB9NK50ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

7,2 A

Tensione massima drain source

500 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

850 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

110 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Larghezza

9.35mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.4mm

Carica gate tipica @ Vgs

32 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

4.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics



Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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