MOSFET STMicroelectronics, canale N, 750 mΩ, 10 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7787
Codice costruttore:: STB10NK60ZT4
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 750 mΩ, 10 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)

1,125 €

(IVA esclusa)

1,373 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
1000 +	1,125 €	1.125,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 165-7787
Codice costruttore:: STB10NK60ZT4
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	750 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	115 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.35mm
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	50 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	4.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C