MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 75 mΩ Miglioramento, 7 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 122-0611
- Codice costruttore:
- ZXMN4A06GTA
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
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- Codice RS:
- 122-0611
- Codice costruttore:
- ZXMN4A06GTA
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18.2nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.95V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.9W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Larghezza | 3.7 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.8mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18.2nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.95V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.9W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Larghezza 3.7 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.8mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- DE
MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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