MOSFET DiodesZetex, canale N, 180 mΩ, 4,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 922-8018
Codice costruttore:: ZXMN6A11GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 180 mΩ, 4,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)

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1000 +	0,276 €	276,00 €

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Codice RS:: 922-8018
Codice costruttore:: ZXMN6A11GTA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,4 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	180 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	3,9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	5,7 nC a 10 V
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.8mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 180 mΩ, 4,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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