MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 125 mΩ Miglioramento, 4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

563,00 €

(IVA esclusa)

687,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 20 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +0,563 €563,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
122-0609
Codice costruttore:
ZXMN10A25GTA
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

ZXMN10A25G

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.9W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.8mm

Larghezza

3.7 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


Link consigliati