MOSFET DiodesZetex, canale N, 125 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-0609
Codice costruttore:: ZXMN10A25GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 125 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)**

0,541 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1000 +	0,541 €	541,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-0609
Codice costruttore:: ZXMN10A25GTA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	125 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	3,9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	17 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 125 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

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