MOSFET DiodesZetex, canale N 100 V, 125 mΩ Miglioramento, 4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:
122-0609
Codice costruttore:
ZXMN10A25GTA
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

ZXMN10A25G

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.9W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

850mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.8mm

Larghezza

3.7mm

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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