MOSFET DiodesZetex, canale N, 125 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 708-2551
Codice costruttore:: ZXMN10A25GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 125 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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5 - 20	1,038 €	5,19 €
25 - 45	0,768 €	3,84 €
50 - 245	0,694 €	3,47 €
250 - 495	0,61 €	3,05 €
500 +	0,542 €	2,71 €

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Codice RS:: 708-2551
Codice costruttore:: ZXMN10A25GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET N-ch 4A 100V SOT223
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	125 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	3.9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.7mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	17 nC a 10 V
Larghezza	3.7mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.8mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 125 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

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