MOSFET DiodesZetex, canale N, 15 mΩ, 10,5 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-1465
Codice costruttore:: DMG7430LFG-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 15 mΩ, 10,5 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
2000 +	0,113 €	226,00 €

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Codice RS:: 122-1465
Codice costruttore:: DMG7430LFG-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerDI3333-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	15 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.35mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	26,7 nC a 10 V
Altezza	0.85mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 15 mΩ, 10,5 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

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