MOSFET DiodesZetex, canale N, 15 mΩ, 10,5 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 770-5115
Codice costruttore:: DMG7430LFG-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 15 mΩ, 10,5 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità**

0,188 €

(IVA esclusa)

0,229 €

(IVA inclusa)

45325 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per Nastro**
25 +	0,188 €	4,70 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 770-5115
Codice costruttore:: DMG7430LFG-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMG7430LFG, N-Channel Enhancement Mode MOSFET POWERDI
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerDI3333-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	15 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.35mm
Larghezza	3.35mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	26,7 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.85mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 15 mΩ, 10,5 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

Link consigliati