MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-2873
Codice costruttore:: DMG2302U-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-2873
Codice costruttore:: DMG2302U-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,2 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	120 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	800 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+8 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3mm
Carica gate tipica @ Vgs	7 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

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