MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 922-7850
Codice costruttore:: ZXMN3A01FTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 922-7850
Codice costruttore:: ZXMN3A01FTA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	120 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	806 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.05mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	3,9 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

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