MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 2,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8337
Codice costruttore:: DMN6075S-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 2,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-8337
Codice costruttore:: DMN6075S-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN6075S, 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	120 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,15 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	12,3 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 2,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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