2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 6 Ω, 620 mA 60 V, SOT-563, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

300,00 €

(IVA esclusa)

360,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 27.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,10 €300,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
122-2874
Codice costruttore:
DMG1029SV-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

620mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-563

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Tensione diretta Vf

1.4V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.3nC

Minima temperatura operativa

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Altezza

0.6mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0

Larghezza

1.25 mm

Lunghezza

1.7mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


Link consigliati