2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 13 Ω, 260 mA 30 V, SOT-563, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

111,00 €

(IVA esclusa)

135,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3000 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 120000,037 €111,00 €
15000 - 270000,036 €108,00 €
30000 - 720000,035 €105,00 €
75000 - 1470000,034 €102,00 €
150000 +0,033 €99,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
122-2883
Codice costruttore:
DMN63D8LV-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

260mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-563

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

450mW

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

1.25 mm

Altezza

0.6mm

Lunghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


Link consigliati