2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 13 Ω, 260 mA 30 V, SOT-563, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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15000 - 270000,053 €159,00 €
30000 - 720000,051 €153,00 €
75000 - 1470000,05 €150,00 €
150000 +0,049 €147,00 €

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Codice RS:
122-2883
Codice costruttore:
DMN63D8LV-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

260mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-563

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

450mW

Tensione diretta Vf

0.8V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.7mm

Altezza

0.6mm

Standard/Approvazioni

UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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