2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 13 Ω, 260 mA 30 V, SOT-563, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 122-2883
- Codice costruttore:
- DMN63D8LV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
111,00 €
(IVA esclusa)
135,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | 0,037 € | 111,00 € |
| 15000 - 27000 | 0,036 € | 108,00 € |
| 30000 - 72000 | 0,035 € | 105,00 € |
| 75000 - 147000 | 0,034 € | 102,00 € |
| 150000 + | 0,033 € | 99,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 122-2883
- Codice costruttore:
- DMN63D8LV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 260mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOT-563 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 450mW | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Larghezza | 1.25 mm | |
| Altezza | 0.6mm | |
| Lunghezza | 1.7mm | |
| Standard/Approvazioni | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 260mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOT-563 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 450mW | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Larghezza 1.25 mm | ||
Altezza 0.6mm | ||
Lunghezza 1.7mm | ||
Standard/Approvazioni UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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