MOSFET onsemi, canale N 60 V, 5 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante 2N7000TA

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Codice RS:
124-1310
Codice costruttore:
2N7000TA
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

2N7000

Tipo di package

TO-92

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.88V

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.19mm

Altezza

5.33mm

Lunghezza

5.2mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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