MOSFET onsemi, canale N 60 V, 5 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante 2N7000TA
- Codice RS:
- 124-1310
- Codice costruttore:
- 2N7000TA
- Costruttore:
- onsemi
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- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 200mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | 2N7000 | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 880mV | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30V, +30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 400mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.19mm | |
| Altezza | 5.33mm | |
| Lunghezza | 5.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 200mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie 2N7000 | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 880mV | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 400mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.19mm | ||
Altezza 5.33mm | ||
Lunghezza 5.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
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