MOSFET onsemi, canale N 60 V, 9 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante

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6000 - 80000,096 €192,00 €
10000 +0,094 €188,00 €

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Codice RS:
184-4156
Codice costruttore:
2N7000-D26Z
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-92

Serie

2N7000

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Tensione diretta Vf

880mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.19mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.33mm

Lunghezza

5.2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questi MOSFET a piccolo segnale a canale N sono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria on Semiconductor ad alta densità di celle. Questi prodotti sono stati progettati per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione, fornendo allo stesso tempo prestazioni di commutazione veloci, affidabili e robuste. Possono essere utilizzati nella maggior parte delle applicazioni che richiedono fino a 400 mA CC e possono erogare correnti pulsate fino a 2 A. Questi prodotti sono particolarmente adatti per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente.

Interruttore piccolo del segnale controllato in tensione

Elevata capacità di saturazione della corrente

Affidabili e resistenti

Design cella ad alta densità per RDS (ON) basso

Applicazioni

Servocomando motore piccolo

Driver per gate MOSFET di potenza

Applicazioni di switching assortite

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