MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 9 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante
- Codice RS:
- 184-4156
- Codice costruttore:
- 2N7000-D26Z
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | 0,091 € | 182,00 € |
| 6000 - 8000 | 0,089 € | 178,00 € |
| 10000 + | 0,087 € | 174,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 184-4156
- Codice costruttore:
- 2N7000-D26Z
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 200mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | 2N7000 | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 400mW | |
| Tensione diretta Vf | 0.88V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5.2mm | |
| Altezza | 5.33mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 200mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie 2N7000 | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 400mW | ||
Tensione diretta Vf 0.88V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5.2mm | ||
Altezza 5.33mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Questi MOSFET a piccolo segnale a canale N sono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria on Semiconductor ad alta densità di celle. Questi prodotti sono stati progettati per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione, fornendo allo stesso tempo prestazioni di commutazione veloci, affidabili e robuste. Possono essere utilizzati nella maggior parte delle applicazioni che richiedono fino a 400 mA CC e possono erogare correnti pulsate fino a 2 A. Questi prodotti sono particolarmente adatti per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente.
Interruttore piccolo del segnale controllato in tensione
Elevata capacità di saturazione della corrente
Affidabili e resistenti
Design cella ad alta densità per RDS (ON) basso
Applicazioni
Servocomando motore piccolo
Driver per gate MOSFET di potenza
Applicazioni di switching assortite
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